STMicroelectronics introduit ses premiers produits PowerGaN pour des alimentations plus compactes et économes en énergie
15 Diciembre 2021 - 8:00AM
STMicroelectronics introduit ses premiers produits PowerGaN pour
des alimentations plus compactes et économes en énergie
P4409I
STMicroelectronics
introduit
ses premiers produits PowerGaN
pour des
alimentations plus compactes
et économes en énergie
- Les produits à base de nitrure de
gallium (GaN) délivrent une meilleure efficacité énergétique et
permettent de concevoir des alimentations plus compactes adaptées à
une large gamme d’applications d’électronique grand public,
industrielles et automobiles.
- Le premier produit du portefeuille
complet de la famille PowerGaN de ST est en production ;
d’autres références seront disponibles prochainement dans
différents boitiers et spécifications.
Genève
(Suisse), le 15
décembre
2021 — STMicroelectronics
(NYSE : STM), un leader mondial des semiconducteurs
dont les clients couvrent toute la gamme des applications
électroniques, a dévoilé une nouvelle famille de semiconducteurs de
puissance en nitrure de gallium (GaN-Gallium Nitride) appartenant
au portefeuille STPOWER. Ces nouveaux composants
contribuent à réduire de façon significative la consommation
d’énergie et permettent de réaliser des conceptions moins
encombrantes dans une large gamme de produits électroniques. Parmi
les applications ciblées figurent des équipements grand public tels
que les chargeurs, les adaptateurs d’alimentation externes pour PC,
les systèmes de contrôle d’éclairage à LED et les alimentations
électriques intégrées aux téléviseurs et aux appareils
électroménagers. Ces équipements produits en grandes quantités dans
le monde entier, et avec une efficacité accrue, contribuent à
abaisser de façon considérable les émissions de CO2. En ce qui
concerne les applications de plus forte puissance, les composants
PowerGaN de ST conviennent également aux alimentations pour
équipements de télécommunications, aux commandes de moteurs
industriels, aux onduleurs solaires, ainsi qu’aux chargeurs et aux
véhicules électriques.
« La commercialisation de produits à base
de nitrure de gallium (GaN) représente la prochaine frontière pour
les semiconducteurs de puissance, et nous sommes prêts à réaliser
le potentiel de cette technologie passionnante. ST annonce
aujourd’hui le premier produit d’une nouvelle famille rattachée au
portefeuille STPOWER, qui peut assurer des
performances de pointe à un large éventail d’alimentations dans les
domaines de l’électronique grand public, de l’industriel et de
l’automobile », a déclaré Edoardo Merli, Directeur général de
la macro-division Transistors de puissance et Vice-Président du
Groupe Produits automobiles et discrets de STMicroelectronics.
« Nous nous engageons à étoffer progressivement notre
portefeuille PowerGaN afin de permettre à nos clients de concevoir
des alimentations plus efficaces et plus compactes adaptées à tous
types d’applications. »
Complément d’information technique
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau
semiconducteur à grand gap (Wide BandGap) capable de traiter des
tensions nettement plus élevées que le silicium traditionnel sans
compromettre la résistance à l’état passant, réduisant ainsi les
pertes de conduction. Les produits réalisés dans cette technologie
peuvent également commuter avec une plus grande efficacité, ce qui
se traduit par de très faibles pertes de commutation. La
possibilité de fonctionner à des fréquences supérieures implique
l’adoption de composants passifs de plus petites dimensions. Ces
différentes caractéristiques permettent aux concepteurs de réduire
les pertes totales (dissipation de chaleur) et d’améliorer
l’efficacité des convertisseurs de puissance. En conséquence, en
favorisant la miniaturisation, le GaN permet par exemple de
réaliser des adaptateurs pour PC plus petits et plus légers que la
grande majorité des chargeurs actuels.
Selon des estimations indépendantes,
l’utilisation de composants en GaN permet de réduire la taille des
chargeurs de smartphones standard jusqu’à 40 % ou de délivrer
davantage de puissance pour une taille équivalente. Des
améliorations de rendement et de densité de puissance du même ordre
sont envisageables pour un grand nombre d’applications dans les
domaines de l’électronique grand public, de l’industriel et de
l’automobile. Référencé SGT120R65AL, le premier
composant de la nouvelle famille de transistors G-HEMT de ST
fonctionne sous une tension de 650 V et affiche une résistance
drain-source à l’état passant Rds(on) maximale de 120 mOhms et
une tenue en courant maximale de 15 A, et dispose d’une broche
de source Kelvin pour optimiser la commande de grille.
Immédiatement disponible en boîtier compact HV PowerFLAT 5x6 pour
montage en surface au prix unitaire de 3 dollars par
1 000 pièces, il convient aux applications suivantes :
adaptateurs pour PC, chargeurs USB muraux et chargeurs sans
fil.
Des transistors GaN à 650 V en cours de
développement sont d’ores et déjà échantillonnés sous les
références SGT120R65A2S (résistance Rds(on) de
120 mOhms) en boîtier stratifié avancé 2SPAK™ où l’élimination
des fils de connexions (wire bonding) augmente l’efficacité et la
fiabilité dans les applications de forte puissance et en fréquences
élevées, ainsi que les références SGT65R65AL et
SGT65R65A2S dont la résistance Rds(on) est de
65 mOhms, respectivement montées en boîtier PowerFLAT 5x6 HV
et 2SPAK. Leur production en volume est prévue au deuxième semestre
2022.
Enfin, un nouveau transistor GaN en montage
cascode de la famille G-FET, annoncé sous la référence
SGT250R65ALCS (résistance Rds(on) de 250 mΩ
en boîtier PQFN 5x6), sera échantillonné au 3e trimestre 2022.
Les transistors de la famille G-FET™ sont des
transistors GaN à effet de champ (FET) en montage cascode ou à
appauvrissement (d-mode) ultra-rapides, de haute robustesse et à
charge de recouvrement inverse Qrr ultra-basse avec commande de
grille en silicium standard ; ils conviennent à une large
gamme d’applications de puissance.
Les transistors de la famille G-HEMT™ sont des
transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à enrichissement
(e-mode) ultra-rapides et charge de recouvrement inverse Qrr nulle
qui peuvent être facilement montés en parallèle ; ils
conviennent aux applications de puissance et opérant à des
fréquences élevées.
Les transistors G-FET et G-HEMT appartiennent
tous deux à la famille PowerGaN du portefeuille de produits
STPOWER de ST.
Pour plus d’informations : www.st.com/gan-transistors and
www.st.com/gan-hemt-transistors.
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes 46 000 créateurs et fabricants de
technologies microélectroniques. Nous maîtrisons toute la chaîne
d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos sites de
production de pointe. En tant que fabricant de composants
indépendant, nous collaborons avec plus de 100 000 clients et
des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des
produits, des solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs
défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde
plus durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, et un déploiement à grande échelle de l’Internet des
objets (IoT) et de la 5G. ST s’est engagé à atteindre la neutralité
carbone d’ici 2027. Pour de plus amples informations, visitez le
site www.st.com.
Contact presse :Nelly
Dimey Tél : 01.58.07.77.85Mobile :
06.75.00.73.39nelly.dimey@st.com
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