STMicroelectronics construira la première usine au monde entièrement intégrée pour le carbure de silicium en Italie
31 Mayo 2024 - 1:14AM
STMicroelectronics construira la première usine au monde
entièrement intégrée pour le carbure de silicium en Italie
PR N° C3262C
STMicroelectronics construira la première
usine au monde entièrement intégrée pour le carbure de silicium en
Italie
- Une nouvelle usine dédiée à la
production en grands volumes de plaquettes 200 mm en carbure
de silicium pour composants et modules de puissance, ainsi qu’aux
activités de test et de conditionnement, sera construite à Catane
(Sicile).
- Un programme d’investissement
pluriannuel prévu à 5 milliards d’euros, dont 2 milliards
d’euros de soutien de l’État italien dans le cadre du Chips Act
européen (EU Chips Act).
- Le Silicon Carbide Campus de Catane
concrétise sur un même site le plan de ST pour des capacités en SiC
entièrement intégrées verticalement, de la R&D à la fabrication
et du substrat au module, permettant aux clients des secteurs de
l’automobile et de l’industriel de réaliser leur transition vers
l’électrification et une plus grande efficacité énergétique.
Genève (Suisse), le 31 mai 2024
— STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial des
semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des
applications électroniques, annonce une nouvelle usine dédiée à la
production en grands volumes de plaquettes 200 mm en carbure de
silicium (« SiC ») pour composants et modules de
puissance, ainsi qu’aux activités de test et de conditionnement,
qui sera construite à Catane (Sicile). Ensemble, l’unité de
fabrication de substrats en SiC en cours de construction sur ce
même site et cette nouvelle usine formeront le Silicon Carbide
Campus de ST, concrétisant la vision de la Société d’une
installation de production entièrement intégrée verticalement et
dédiée à la production de masse de carbure de silicium sur un seul
site. La création du nouveau Silicon Carbide Campus marque une
étape clé pour accompagner les clients en composants SiC pour les
applications automobiles, industrielles et pour les infrastructures
en cloud, dans le cadre de leur transition vers l’électrification
et la recherche d’une plus grande efficacité énergétique.
« Les capacités entièrement intégrées mises
à disposition par le Silicon Carbide Campus de Catane contribueront
de manière significative au leadership technologique de ST dans le
domaine du carbure de silicium pour les clients des secteurs
automobile et industriel au cours des prochaines décennies »,
a déclaré Jean-Marc Chéry, Président du Directoire et Directeur
Général de STMicroelectronics. « L’envergure et les synergies
apportées par ce projet nous permettront d’innover davantage avec
une capacité de production en grands volumes et ce, au bénéfice de
nos clients européens et internationaux qui évoluent vers
l’électrification et recherchent des solutions à haute efficacité
énergétique afin d’atteindre leurs objectifs de
décarbonation. »
Le Silicon Carbide Campus servira de pôle
central pour l’écosystème SiC mondial de ST, intégrant la totalité
des étapes du flux de production, parmi lesquelles le développement
de substrats SiC, les processus de croissance épitaxiale, la
fabrication de plaquettes en 200 mm (Front-end) et
l’assemblage de modules (Back-end), la R&D des processus, la
conception de produits, les laboratoires de R&D avancée pour
les circuits intégrés, les modules et les systèmes de puissance,
ainsi que des capacités complètes de conditionnement. Il s’agira de
la première unité de cette nature (« first of a kind »)
en Europe pour la production de masse de plaquettes SiC en
200 mm, chaque étape du processus - substrat, épitaxie &
front-end, et back-end - utilisant les technologies 200 mm
pour des performances et des rendements améliorés.
Cette nouvelle unité devrait démarrer la
production en 2026 et atteindre sa pleine capacité d’ici 2033, pour
produire jusqu’à 15 000 plaquettes par semaine à pleine
capacité. L’investissement total prévu est d’environ
5 milliards d’euros, avec un soutien de l’État italien
d’environ 2 milliards d’euros dans le cadre du Chips Act
européen (EU Chips Act). Des pratiques durables sont intégrées dans
la conception, le développement et l’exploitation du Silicon
Carbide Campus dans le but d’assurer l’utilisation responsable de
ressources dont l’eau et l’énergie.
Informations complémentaires
Le carbure de silicium (« SiC ») est
un matériau clé (et une technologie) composé de silicium et de
carbone qui présente plusieurs avantages par rapport au silicium
conventionnel pour les applications de puissance. La large bande
(WBG - Wide Bandgap) du SiC et ses caractéristiques
intrinsèques - meilleure conductivité thermique, vitesse de
commutation plus élevée, faible dissipation - en font une
technologie particulièrement adaptée à la fabrication de composants
de puissance fonctionnant à des tensions élevées (notamment
supérieures à 1 200 V). Les composants de puissance SiC,
sous forme de MOSFET SiC vendus comme puces nues (bare die) et
modules complets SiC, sont particulièrement pertinents dans les
véhicules électriques, les infrastructures de recharge rapide, les
énergies renouvelables et diverses applications industrielles
telles que les datacenters, car ils affichent des courants
électriques plus élevés et moins de fuites que les semiconducteurs
traditionnels en silicium, augmentant ainsi l’efficacité
énergétique. Cependant, les puces en SiC sont plus difficiles et
plus coûteuses à fabriquer que les puces en silicium, avec de
nombreux défis à surmonter en matière d’industrialisation du
processus de fabrication.
Le leadership de ST dans le domaine du carbure
de silicium est le fruit de 25 années d’efforts et d’engagements en
faveur de la R&D avec un large portefeuille de brevets clés.
Depuis longtemps, Catane joue un rôle important dans la capacité
d’innovation de ST en tant que lieu des principales activités
de R&D et de fabrication en SiC du Groupe, contribuant avec
succès au développement de nouvelles solutions permettant de
produire des composants SiC avec une qualité et des volumes
croissants. S’appuyant sur un écosystème établi dans le domaine de
l’électronique de puissance, avec notamment une collaboration
fructueuse à long terme entre ST, l’Université de Catane et le
Conseil national italien de la recherche (CNR), ainsi que sur un
vaste réseau de fournisseurs, cet investissement renforcera le rôle
de Catane en tant que centre de compétences mondial pour la
technologie en carbure de silicium et pour de nouvelles
opportunités de croissance.
ST fabrique actuellement ses produits phares en
SiC en grands volumes sur deux lignes de production de plaquettes
de 150 millimètres à Catane (Italie) et à Ang Mo Kio
(Singapour). Le troisième pôle (hub) est une coentreprise avec
Sanan Optoelectronics, avec une unité de fabrication en
200 millimètres en cours de construction à Chongqing (Chine),
dédiée à ST pour servir le marché chinois. Les unités de production
de plaquettes de ST sont complétées par les activités d’assemblage
et de test en grands volumes qualifiées pour l’automobile à
Bouskoura (Maroc) et à Shenzhen (Chine). La R&D et
l’industrialisation des substrats en SiC de ST ont lieu à
Norrköping (Suède) et à Catane où l’unité de fabrication de
substrats en SiC augmente la production et où sont basées la
plupart des équipes de R&D et de conception des produits SiC de
ST.
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et
fabricants de technologies microélectroniques. Nous maîtrisons
toute la chaine d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos
sites de production de pointe. En tant que fabricant intégré de
composants, nous collaborons avec plus de 200 000 clients et
des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des
produits, des solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs
défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde
plus durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, ainsi que le déploiement à grande échelle d’objets
autonomes connectés au cloud. Nous sommes engagés pour atteindre
notre objectif de devenir neutre en carbone sur les scopes 1 et 2,
et une partie du scope 3, d’ici 2027. Pour de plus amples
informations, visitez le site www.st.com.
Contact presse :Nelly Dimey Tél
: 01.58.07.77.85Mobile : 06.75.00.73.39nelly.dimey@st.com
RELATIONS AVEC LES INVESTISSEURS :Céline
BerthierTél : +41.22.929.58.12celine.berthier@st.com
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